Корейская компания будет использовать в своих мобильных аппаратах модули PRAM — память с произвольным доступом на основе фазового перехода. Это повысит быстродействие аппаратов и увеличит время работы от батареи.

Samsung намерена постепенно отказаться от использования в своих смартфонах флэш-памяти и перейти на чипы PRAM (Phase-change Random Access Memory — «память с произвольным доступом на основе фазового перехода»). Об этом сообщает BBC.

Физическую основу памяти PRAM составляет сплав германия с сурьмой и титаном. Внешне такой материал похож на кусок стекла и обладает способностью менять физические свойства в зависимости от своего фазового состояния — аморфного или кристаллического.

Samsung заявляет, что использование в устройствах памяти PRAM увеличит время автономной работы телефона на 20% и ощутимо повысит его быстродействие. Новая память умеет считывать и записывать данные до 10 раз быстрей, чем некоторые типы флэш-памяти.

Модули фазовой памяти будут совместимы с модулями флэш-памяти на всех уровнях. Начать производство устройств на базе PRAM корейская компания планирует в 2010-2011 годах. Первый PRAM-чип будет иметь емкость 512 Мбит.